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beat365中国在线体育说明]晶闸管调光电路

　　beat365中国在线体育说明]晶闸管调光电路[说明]晶闸管调光电路[说明]晶闸管调光电路晶闸管调光电路一、目的 1( 熟悉晶闸管调光电路的工作原理及电路中各元件的作用。 2( 掌握晶闸管调光电路的安装、调试步骤及方法。 3( 对晶闸管调光电路中故障原因能加以分析并能排除故障。 4( 熟悉示波器的使用方法。二、材料与设备晶闸管调光电路的底板 1块闸管调光电路元件 1套万用表 1块示波器 1台烙铁 1只三、线路晶闸管调光电路实验实训线所示。该调光电路分主电路和触发电路两大部分。主电路是单相半波整流电路，触发电路是单 ...

　　[说明]晶闸管调光电路晶闸管调光电路一beat365中国在线体育、目的 1( 熟悉晶闸管调光电路的工作原理及电路中各元件的作用。 2( 掌握晶闸管调光电路的安装、调试步骤及方法。 3( 对晶闸管调光电路中故障原因能加以分析并能排除故障。 4( 熟悉示波器的使用方法。二、材料与设备晶闸管调光电路的底板 1块闸管调光电路元件 1套万用表 1块示波器 1台烙铁 1只三、线路晶闸管调光电路实验实训线所示。该调光电路分主电路和触发电路两大部分。主电路是单相半波整流电路，触发电路是单结晶体管触发电路。四、

　　与步骤 1( 晶闸管调光电路的安装 (1)元件布置图和布线所示电路画出元件布置图和布线)元器件选择与测试。根据图7,1所示电路图选择元器件并进行测量，重点对二极管、晶闸管、稳压管、单结晶体管等元器件的性能、管脚进行测试和区分。 (3)焊接前准备工作。将元器件按布置图在电路底板焊接位置上做引线成形。弯脚时，切忌从元件根部直接弯曲，应将根部留有5,10mm长度以免断裂。引线端在去除氧化层后涂上助焊剂，上锡备用。 (4)元器件焊接安装。根据电路布置图和布线图将元器件进行焊接安装。 2(晶闸管调光电路的调试 (1)通电前的检查。对已焊接安装完毕的电路办根据图1,47所示电路进行详细检查。重点检查二极管、稳压管、单结晶体管、晶闸管等元件的管脚是否正确。输入、输出端有无短路现象。 (2)通电调试。晶闸管调光电路分主电路和单结晶体管触发电路两大部分。因而通电调试亦分成两个步骤，首先调试单结晶体管触发电路，然后，再将主电路和单结晶体管触发电路联结，进行整体综合调试。 3(晶闸管调光电路故障分析及处理晶闸管调光电路在安装、调试及运行中，由元器件及焊接等原因产生故障，可根据故障现象、用万用表、示波器等仪器进行检查测量并根据电路原理进行分析，找出故障原因并进行处理。五、注意事项 1(注意元件布置要合理。 2(焊接应无虚焊、错焊、漏焊，焊点应圆滑刺。 3(焊接时应重点注意二极管、稳压管、单结晶体管、晶闸管等元件的管脚。六、对触发电路的要求 1)对触发信号功率的要求触发信号要有足够的功率。由晶闸管原理可知，门极与阴极之间可近似看成一个PN结，其典型伏安特性曲线所示。由于同一型号元件的门极伏安特性分散性很大，因此规定元件的门极阻值在某高阻(曲线OD)和低阻(曲线OG)之间，才可能算合格产品。 2)对触发信号波形的要求触发脉冲应用一定的宽度，脉冲前沿尽可能的陡，以使元件再触发导通后阳极电流能迅速上升超过擎住电流而导通。 3)对触发脉冲的同步及移相范围要求为使晶闸管在每个周期都在相同的控制角触发导通，触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，且脉冲与电源波形保持固定的相位关系。移相触发的结构如图4-3所示，触发电路同时受控制电压Uc与同步电压us(同步电压与晶闸管的阳极电压同频率且有一定的相位关系)控制。控制电压Uc使脉冲在要求范围内移相，同步电压us使脉冲与电源电压同步，保证每一个周期内控制角恒定，以得到稳定的直流电压。为了使电路在给定范围内工作，必须保证触发脉冲能在相应范围内进行移相。 4)防止干扰与误触发晶闸管的误导通往往是由于干扰信号进入门极电路而引起的，因此需要对触发电路进行屏蔽、隔离等抗干扰措施。单结管触发电路单结管的结构与工作原理 1(结构单结晶体管结构示意图如图4-4(a)所示。在一块高电阻率的N型硅半导体基片上引出两个电极:第一基极b1与第二基极b2。这两个基极之间的电阻Rbb即是基片的电阻，约2,12 kΩ。在两基极之间beat365中国在线体育，靠近b2极处设法掺入P型杂质铝，引出电极称为发射极e。所以，它是一种特殊的半导体器件，有三个引出端，只有一个PN结，故称单结晶体管，又称双基极二极管。其等效电路、符号与管脚如图4-4(b)、(c)、(d)所示，Rb1、Rb2分别为e极与b1、b2之间的基片电阻。 2(单结管的特性和工作原理将单结管接成下图所示电路，称U为基极电压，U随发射极电流变bbe 化，称为发射极电压。 (1) 当S断开、S闭合时，外加基极电压U由R、R分12bbb1b2(1)当S断开，S闭合时，外加基极电压U由R和R分压，12bbb1b2 点之间的电压U为压，则管子中A点对b则管子A点对b1点之间的电压U为 1AA R1bU,U,,U(A点在管子内部，无法直接测量)AbbbbR，R21bb (4-1)式中η为单结管分压比，由管子内部结构决定，通常在0.3,0.9之间。式中η单结晶体管分压比，由管子内部结构决定，通常在0.3, 0.9之间。 (2) 当Ubb断开，Ibb=0，S1闭合加上Ue时，二极管VD与Rb1组成串联电路。发射极电压与电流的伏安特性如图4-6中最下边一条曲线所示，与二极管正向特性接近。 (3) 若管子加上一定的基极电压Ubb(10 V),Ue从零开始增大，当Ue

　　UP后，单结晶体管从截止区迅速经过负阻区到达谷点V，在负阻区不能停留。当Ie再继续增大，空穴注入N区增大到一定程度时，部分空穴来不及与基区电子复合而出现空穴剩余，使空穴继续注入遇到阻力，相当于 Rb1变大。因此在谷点V之后，元件又恢复正阻特性，Ue随Ie的增大而缓慢增大，工作由负阻区进入饱和区。显然，UV是维持管子导通时的最小发射极电压，一旦出现Ue

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